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FJE3303H2TU、KSE13003H2ASTU、KSE13003AS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJE3303H2TU KSE13003H2ASTU KSE13003AS

描述 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSE13003H2ASTU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 20 W, 1.5 A, 14 hFETRANS NPN 400V 1.5A TO-126

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 4 MHz 4 MHz -

额定电压(DC) 400 V 400 V 400 V

额定电流 1.50 A 1.50 A 1.50 A

极性 N-Channel, P-Channel NPN NPN

耗散功率 20 W 20 W -

漏源击穿电压 700 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.50 A - -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 14 @500mA, 2V 14 @500mA, 2V 8 @500mA, 2V

额定功率(Max) 20 W 20 W 20 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 20 W 20 W -

针脚数 - 3 -

增益频宽积 - 4 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 40 -

直流电流增益(hFE) - 14 -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

长度 8 mm 8 mm -

宽度 3.25 mm 3.25 mm -

高度 11 mm 11 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -