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KSE13003H2ASTU

KSE13003H2ASTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSE13003H2ASTU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 20 W, 1.5 A, 14 hFE

The is a NPN Silicon Transistor offers 700V collector base voltage and 1.5A collector current. It is suitable for high voltage switch mode, switching regulator and motor control applications.

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High voltage capability
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High speed switching

欧时:
### 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Tube


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Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Tube


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NPN 400 V 1.5 A 20 W Flange Mount Silicon Transistor - TO-126


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Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin3+Tab TO-126 Tube


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# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSE13003H2ASTU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 400 V, 4 MHz, 20 W, 1.5 A, 14 hFE


Win Source:
TRANS NPN 400V 1.5A TO126


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO126


KSE13003H2ASTU中文资料参数规格
技术参数

频率 4 MHz

额定电压DC 400 V

额定电流 1.50 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

增益频宽积 4 MHz

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 14 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 14

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 20 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSE13003H2ASTU引脚图与封装图
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在线购买KSE13003H2ASTU
型号 制造商 描述 购买
KSE13003H2ASTU Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSE13003H2ASTU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 20 W, 1.5 A, 14 hFE 搜索库存
替代型号KSE13003H2ASTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSE13003H2ASTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 400V 1.5A 20000mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSE13003H2ASTU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 20 W, 1.5 A, 14 hFE

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型号: FJE3303H2TU

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封装: TO-126 N-Channel 400V 1.5A 20W

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