APT10045JLL、APT10050JVR、APT10050LVFR对比区别

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型号 APT10045JLL APT10050JVR APT10050LVFR

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 21A 4Pin SOT-227SOT-227 N-CH 1000V 19ATO-264 N-CH 1000V 21A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Screw Screw Through Hole

引脚数 4 4 -

封装 SOT-227-4 SOT-227 TO-264

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 21.0 A 19.0 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 450 mΩ - -

耗散功率 460 W - -

阈值电压 3 V - -

输入电容 4.35 nF 7.90 nF -

栅电荷 154 nC 500 nC -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1.00 kV 1000 V

漏源击穿电压 1 kV - -

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 19.0 A 21A

上升时间 5 ns 13 ns -

输入电容(Ciss) 4350pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 460 W - -

下降时间 8 ns 8 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 460W (Tc) 450000 mW -

极性 - N-CH N-CH

长度 38.2 mm - -

宽度 25.4 mm - -

高度 9.6 mm - -

封装 SOT-227-4 SOT-227 TO-264

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -