APT10050JVR
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Microsemi
美高森美
分立器件
APT10050JVR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 19.0 A
极性 N-CH
输入电容 7.90 nF
栅电荷 500 nC
漏源极电压Vds 1.00 kV
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 450000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT10050JVR引脚图与封装图
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在线购买APT10050JVR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT10050JVR | Microsemi 美高森美 | SOT-227 N-CH 1000V 19A | 搜索库存 |
替代型号APT10050JVR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT10050JVR 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SOT-227 N-CH 1kV 19A 7.9nF | 当前型号 | SOT-227 N-CH 1000V 19A | 当前型号 |
| 型号： APT10045JLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 1kV 21A 4.35nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 1kV 21A 4Pin SOT-227 | APT10050JVR和APT10045JLL的区别 |
| 型号： APT10045JFLL 品牌： 美高森美 封装： SOT-227 1kV 21A 4.35nF | 类似代替 | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | APT10050JVR和APT10045JFLL的区别 |
| 型号： APT10050JN 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | SOT-227 N-CH 1000V 20.5A | APT10050JVR和APT10050JN的区别 |
