SI2333DDS-T1-GE3、SI2333DS-T1-E3、DMP1045U对比区别

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型号 SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DS-T1-E3 DMP1045U

描述 VISHAY  SI2333DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mVP 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorDIODES INC.  DMP1045U  晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, 5.2 A, -12 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -0.55 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.023 Ω 0.032 Ω 0.026 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.7 W 1.25 W 800 mW

阈值电压 400 mV - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.7 W 0.75 W -

漏源极电压(Vds) - -12.0 V -

连续漏极电流(Ids) - -4.10 A -

上升时间 - 45 ns -

输入电容(Ciss) - 1100pF @6V(Vds) -

下降时间 - 60 ns -

长度 3.04 mm 3.04 mm -

宽度 1.4 mm 1.4 mm -

高度 1.02 mm 1.02 mm -

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃