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SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

数据手册.pdf

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a -12V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

.
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
单 P沟道 12 V 0.032 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TO-236


Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2333DS-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -4.1 A, -12 V, 32 mohm, -4.5 V, -1 V


力源芯城:
-12V,-5.3A,P沟道MOSFET


SI2333DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -4.10 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1100pF @6VVds

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 TO-236

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI2333DS-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI2333DS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存
替代型号SI2333DS-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI2333DS-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-23 P-Channel -12V -4.1A 32mohms

当前型号

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

当前型号

型号: SI2333DDS-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOT-23 P-Channel

功能相似

VISHAY  SI2333DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mV

SI2333DS-T1-E3和SI2333DDS-T1-GE3的区别

型号: SI2333DS-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOT-23 P-Channel 12V 4.1A

功能相似

VISHAY  SI2333DS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -12V, 750mW

SI2333DS-T1-E3和SI2333DS-T1-GE3的区别