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BDT61B-S、D44H8G、BD679对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDT61B-S D44H8G BD679

描述 TO-220 NPN 100V 4AON SEMICONDUCTOR  D44H8G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 50 MHz, 2 W, 10 A, 60 hFESTMICROELECTRONICS  BD679  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-126-3

额定电压(DC) - 60.0 V 80.0 V

额定电流 - 10.0 A 4.00 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 2 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 60 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 40 @4A, 1V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 2 W 2 W 40 W

直流电流增益(hFE) - 60 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 40000 mW

集电极最大允许电流 4A 10A -

频率 - 50 MHz -

增益频宽积 - 50 MHz -

热阻 - 62.5℃/W (RθJC) -

长度 10.4 mm 10.28 mm 7.8 mm

宽度 4.7 mm 4.82 mm 2.7 mm

高度 9.3 mm 9.28 mm 10.8 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-126-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2017/07/07 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99