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TLC2262CD、TLC2262IDR、TLC2262CDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2262CD TLC2262IDR TLC2262CDG4

描述 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas InstrumentsCMOS,满电源幅度运放高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 425 µA 425 µA 425 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 70dB ~ 83dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 710 kHz 820 kHz 710 kHz

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 550 mV/μs

增益频宽积 0.71 MHz 0.82 MHz 710 kHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 0.71 MHz 0.82 MHz 730 kHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(DC) 8.00 V - -

针脚数 8 - -

电源电压(Max) 16 V - 16 V

电源电压(Min) 4.4 V - 4.4 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -