FDS5682、STS7NF60L对比区别

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型号 FDS5682 STS7NF60L

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 7.5A ，21M欧姆 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohmSTMICROELECTRONICS  STS7NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

漏源极电阻 17.0 mΩ 0.017 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 7.50 A

输入电容(Ciss) 1650pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V

额定电流 - 7.50 A

针脚数 - 8

阈值电压 - 1 V

输入电容 - 1.70 nF

栅电荷 - 25.0 nC

上升时间 - 27 ns

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

高度 - 1.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -