FDS5682、STS7NF60L对比区别
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的60V , 7.5A ,21M欧姆 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohmSTMICROELECTRONICS STS7NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 - 8
漏源极电阻 17.0 mΩ 0.017 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.50 A 7.50 A
输入电容(Ciss) 1650pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V
额定电流 - 7.50 A
针脚数 - 8
阈值电压 - 1 V
输入电容 - 1.70 nF
栅电荷 - 25.0 nC
上升时间 - 27 ns
下降时间 - 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8
高度 - 1.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -