FDS5682
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS5682中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 17.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
输入电容Ciss 1650pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS5682引脚图与封装图
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在线购买FDS5682
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS5682 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 7.5A ，21M欧姆 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm | 搜索库存 |
替代型号FDS5682
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS5682 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 60V 7.5A 17mohms | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 7.5A ，21M欧姆 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 7.5A, 21m ohm | 当前型号 |
| 型号： STS7NF60L 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 60V 7.5A 17mohms 1.7nF | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS7NF60L 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V | FDS5682和STS7NF60L的区别 |