FDC6506P、ZXM62P03E6TC对比区别

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型号 FDC6506P ZXM62P03E6TC

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6506P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 170 mohm, -10 V, -1.8 V30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOT-23-6 SOT-23-6

针脚数 6 -

漏源极电阻 170 mΩ 230 mΩ

耗散功率 960 mW 625 mW

阈值电压 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 8 ns 6.4 ns

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 330pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 700 mW -

下降时间 2 ns 6.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 0.96 W 625mW (Ta)

通道数 2 1

极性 P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel P-Channel

漏源击穿电压 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.80 A 1.50 A

额定电压(DC) -30.0 V -

额定电流 -1.80 A -

额定功率 0.96 W -

输入电容 190 pF -

栅电荷 2.30 nC -

长度 3 mm 3.1 mm

宽度 1.7 mm 1.8 mm

高度 1 mm 1.3 mm

封装 TSOT-23-6 SOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 -