BCW30、BCW30LT1G、BCW30@215对比区别

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型号 BCW30 BCW30LT1G BCW30@215

描述 PNP通用放大器 PNP General Purpose AmplifierON SEMICONDUCTOR  BCW30LT1G  单晶体管 双极, PNP, -32 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFEBCW30@215

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 - PNP PNP

额定电压(DC) -32.0 V -32.0 V -

额定电流 -500 mA -100 mA -

针脚数 - 3 -

耗散功率 0.35 W 225 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 215 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 350 mW 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 215 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

高度 0.93 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -