BC640,116、MPS6523、2N930对比区别

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型号 BC640,116 MPS6523 2N930

描述 SPT PNP 80V 1APNP通用放大器 PNP General Purpose AmplifierNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-206

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - -25.0 V -

额定电流 - -500 mA -

耗散功率 - 625 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 25 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 300 @2mA, 10V 100 @10µA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 600 -

额定功率(Max) 830 mW 625 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -55 ℃

极性 PNP - -

集电极最大允许电流 1A - -

耗散功率(Max) 830 mW - 300 mW

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-206

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -