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BS62LV4006EIP55、LY62W5128WL-55LLI、R1LP0408CSB-5SI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BS62LV4006EIP55 LY62W5128WL-55LLI R1LP0408CSB-5SI

描述 BSI (BRILLIANCE SEMICONDUCTOR)  BS62LV4006EIP55  芯片, SRAM, 4M, 512KX8, 2.4-5.5V, SMDLYONTEK  LY62W5128WL-55LLI  芯片, 存储器, SRAM, 4M, 512KX8, 2.7-5.5V, 32TSOPIIRENESAS  R1LP0408CSB-5SI  芯片, 存储器, SRAM, 4Mb, 5V, 55NS, 32TSOP

数据手册 ---

制造商 BSI Lyontek Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 32 32 32

封装 TSOP TSOP TSOP

安装方式 Surface Mount - -

电源电压(DC) - 2.70V (min) 4.50V (min)

工作电压 - - 4.5V ~ 5.5V

针脚数 32 32 32

位数 - - 8

存取时间 55 ns 55 ns 55 ns

内存容量 500000 B 500000 B 500000 B

存取时间(Max) - - 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.4 V 2.7 V 4.5 V

封装 TSOP TSOP TSOP

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Each Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17