锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF7463、IRF7463TR、IRF7463TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7463 IRF7463TR IRF7463TRPBF

描述 SOIC N-CH 30V 14ASOIC N-CH 30V 14A晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14A 14A

输入电容(Ciss) 3150pF @15V(Vds) 3150pF @15V(Vds) 3150pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 14.0 A - -

产品系列 IRF7463 - -

漏源击穿电压 30.0 V - 30 V

上升时间 16.0 ns - 138 ns

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 10.5 mΩ

阈值电压 - - 2 V

输入电容 - - 3150 pF

下降时间 - - 6.5 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free