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IPB120P04P404ATMA1、IPB120P04P4L03ATMA1、SQM40041EL_GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB120P04P404ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA1 SQM40041EL_GE3

描述 晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -3 VINFINEON  IPB120P04P4L03ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0026 ohm, -10 V, -1.7 V晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.00283 ohm, -10 V, -2.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0026 Ω 0.0026 Ω 0.00283 Ω

极性 P-CH P-Channel -

耗散功率 136 W 136 W 157 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120A 120A -

上升时间 20 ns 16 ns -

输入电容(Ciss) 14790pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds) -

下降时间 52 ns 57 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc) -

阈值电压 - 1.7 V 2.5 V

封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263

长度 - 10 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 -