IRFIBF20GPBF、NTE2399对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFIBF20GPBF NTE2399

描述 VISHAY  IRFIBF20GPBF  场效应管, MOSFET, N沟道NTE ELECTRONICS  NTE2399  场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 3.1A, TO-220

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NTE Electronics

分类 中高压MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220

针脚数 3 3

漏源极电阻 8 Ω 0.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 125 W

阈值电压 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 900 V 1 kV

连续漏极电流(Ids) 1.20 A 3.10 A

上升时间 21 ns 25.0 ns

下降时间 32 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

漏源击穿电压 - 1.00kV (min)

封装 TO-220 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

HTS代码 - 85412900951