IRFIBF20GPBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 1.20 A
上升时间 21 ns
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFIBF20GPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFIBF20GPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFIBF20GPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFIBF20GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道 | 搜索库存 |
替代型号IRFIBF20GPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFIBF20GPBF 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220 N-Channel 900V 1.2A | 当前型号 | VISHAY IRFIBF20GPBF 场效应管, MOSFET, N沟道 | 当前型号 |
| 型号： NTE2399 品牌： NTE Electronics 封装： TO-220 N-Channel 1000V 3.1A 500mΩ | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE2399 场效应管, MOSFET, N沟道, 1KV, 3.1A, TO-220 | IRFIBF20GPBF和NTE2399的区别 |