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TLV2264IDR、TLV2264IDRG4、LMC6574AIM/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2264IDR TLV2264IDRG4 LMC6574AIM/NOPB

描述 高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERSOP Amp Quad GP R-R O/P 11V 14Pin SOIC N Rail

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) National Semiconductor (美国国家半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA -

供电电流 800 µA 800 µA -

电路数 4 4 -

通道数 4 4 -

耗散功率 950 mW 0.95 W -

共模抑制比 70 dB 70 dB 63 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 670 kHz 670 kHz -

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs -

增益频宽积 0.71 MHz 710 kHz 0.22 MHz

过温保护 No No -

输入补偿电压 300 µV 300 µV 3 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 0.00002 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

增益带宽 710 kHz 0.71 MHz -

耗散功率(Max) 950 mW 950 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB -

电源电压 2.7V ~ 8V - -

电源电压(Max) 8 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

长度 8.65 mm 8.65 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -