WEDPN8M64V-100BI、WEDPN8M64V-133B2I、W3E16M64S-266BI对比区别

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型号 WEDPN8M64V-100BI WEDPN8M64V-133B2I W3E16M64S-266BI

描述 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, PBGA219, PLASTIC, BGA-219DRAM Module SDRAM 512MbitDRAM Memory

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 RAM芯片RAM芯片

封装 BGA BGA BGA

封装 BGA BGA BGA

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

含铅标准 Contains Lead - -