IDT71P74604S200BQ、IDT71P74604S250BQ、71P74604S250BQ对比区别

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型号 IDT71P74604S200BQ IDT71P74604S250BQ 71P74604S250BQ

描述 18MB流水线QDR II SRAM突发的4 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 418MB流水线QDR II SRAM突发的4 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165Pin CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount - -

封装 TBGA-165 TBGA-165 BGA

引脚数 - - 165

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.8 V

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 TBGA-165 TBGA-165 BGA

长度 - - 15.0 mm

宽度 - - 13.0 mm

高度 - - 0.85 mm

厚度 - - 1.20 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ECCN代码 3A991 3A991 -