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TN0110N3-G、TN0110N3-G-P002、TN0110N3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TN0110N3-G TN0110N3-G-P002 TN0110N3

描述 TN0110N3-G 袋装Trans MOSFET N-CH 100V 0.35A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 100V 0.35A 3Pin TO-92

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Supertex (超科)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92

耗散功率 1 W 1 W -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

上升时间 3 ns 3 ns -

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds) -

下降时间 3 ns 3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) -

额定功率 1 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.6 Ω - -

极性 N-CH - -

阈值电压 2 V - -

连续漏极电流(Ids) 0.35A - -

额定功率(Max) 1 W - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -