TN0110N3-G-P002
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
分立器件
TN0110N3-G-P002中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 60pF @25VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TN0110N3-G-P002引脚图与封装图 
TN0110N3-G-P002引脚图
TN0110N3-G-P002封装图
TN0110N3-G-P002封装焊盘图
在线购买TN0110N3-G-P002
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TN0110N3-G-P002 | Microchip 微芯 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.35A 3Pin TO-92 T/R | 搜索库存 |
替代型号TN0110N3-G-P002
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TN0110N3-G-P002 品牌： Microchip 微芯 封装： TO-92-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.35A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 |
| 型号： TN0110N3-G 品牌： 微芯 封装： TO-92-3 N-CH 100V 0.35A | 完全替代 | TN0110N3-G 袋装 | TN0110N3-G-P002和TN0110N3-G的区别 |