PBSS303ND、PBSS303ND,115对比区别

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型号 PBSS303ND PBSS303ND,115

描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsNXP  PBSS303ND,115  晶体管, BISS, NPN, 60V, 3A, 6-SOT-457

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SuperSOT SOT-457

频率 - 140 MHz

针脚数 - 6

极性 NPN NPN

耗散功率 1.1 W 1.1 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 345 345 @500mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 345 @0.5A, 2V

额定功率(Max) - 1.1 W

直流电流增益(hFE) 345 570

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -

额定功率 - -

耗散功率(Max) - -

封装 SuperSOT SOT-457

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17