PBSS303ND,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS303ND,115中文资料参数规格
技术参数
频率 140 MHz
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 1.1 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 345 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 345 @0.5A, 2V
额定功率Max 1.1 W
直流电流增益hFE 570
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS303ND,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS303ND,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS303ND,115 | NXP 恩智浦 | NXP PBSS303ND,115 晶体管, BISS, NPN, 60V, 3A, 6-SOT-457 | 搜索库存 |
替代型号PBSS303ND,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS303ND,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-74 NPN | 当前型号 | NXP PBSS303ND,115 晶体管, BISS, NPN, 60V, 3A, 6-SOT-457 | 当前型号 |
| 型号： PBSS303ND 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors | PBSS303ND,115和PBSS303ND的区别 |
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