IRFS4610PBF、STB120NF10T4、STB80NF10T4对比区别

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型号 IRFS4610PBF STB120NF10T4 STB80NF10T4

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3Pin(2+Tab) D2PAKSTMICROELECTRONICS  STB120NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 73.0 A 120 A 80.0 A

额定功率 190 W - -

漏源极电阻 14 mΩ 0.0105 Ω 12 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 312 W 300 W

产品系列 IRFS4610 - -

阈值电压 4 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100V (min) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 73.0 A 110 A 80.0 A

上升时间 87.0 ns 90 ns 80 ns

输入电容(Ciss) 3550pF @50V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 190 W 312 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 3

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

下降时间 - 68 ns 60 ns

耗散功率(Max) - 312000 mW 300W (Tc)

输入电容 - 5200 pF -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

重量 - 0.013607772 kg -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -