
额定电压DC 100 V
额定电流 73.0 A
额定功率 190 W
漏源极电阻 14 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
产品系列 IRFS4610
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100V min
连续漏极电流Ids 73.0 A
上升时间 87.0 ns
输入电容Ciss 3550pF @50VVds
额定功率Max 190 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFS4610PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3Pin2+Tab D2PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFS4610PBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: D2-PAK N-Channel 100V 73A 11mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3Pin2+Tab D2PAK | 当前型号 | |
型号: STB120NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V | IRFS4610PBF和STB120NF10T4的区别 | |
型号: STB80NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 100V 80A 15mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V | IRFS4610PBF和STB80NF10T4的区别 |