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MPS751、MPS751G、MMBT5401对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPS751 MPS751G MMBT5401

描述 放大器晶体管 Amplifier TransistorsPNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5401.  单晶体管 双极, PNP, 150 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 240 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -150 V

额定电流 -2.00 A -2.00 A -600 mA

针脚数 3 3 3

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 625 mW 625 mW 350 mW

增益频宽积 75 MHz 75 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 150 V

最小电流放大倍数(hFE) 75 75 @1A, 2V 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 40 75 240

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1.5 W 350 mW

频率 - 75 MHz 300 MHz

热阻 - 83.3℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 - 2A -

最大电流放大倍数(hFE) - - 240

长度 5.2 mm 5.2 mm 2.9 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 1.3 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 0.96 mm

封装 TO-92-3 TO-226-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Box Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99