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MMBT5401
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5401.  单晶体管 双极, PNP, 150 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 240 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −150V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100~300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40~200 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP General Purpose Amplifier • This device is designed as a general purpose amplifier and switch for applications requiring high voltage. 描述与应用| PNP通用放大器 这个装置是专为需要高电压的应用作为一种通用放大器和开关而设计。

MMBT5401中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC -150 V

额定电流 -600 mA

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 240

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 240

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.96 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT5401引脚图与封装图
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在线购买MMBT5401
型号 制造商 描述 购买
MMBT5401 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5401.  单晶体管 双极, PNP, 150 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 240 hFE 搜索库存
替代型号MMBT5401
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT5401

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 PNP -150V -600mA 350mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5401.  单晶体管 双极, PNP, 150 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 240 hFE

当前型号

型号: MMBT5401_D87Z

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-236-3 PNP 350mW

类似代替

MMBT5401 系列 150 V 0.6 A PNP 表面贴装 通用 放大器 - SOT-23

MMBT5401和MMBT5401_D87Z的区别

型号: MMBT5401LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -150V -500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

MMBT5401和MMBT5401LT1G的区别