IXFK80N50P、IXFX80N50P、APT50M50L2LLG对比区别

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型号 IXFK80N50P IXFX80N50P APT50M50L2LLG

描述 IXFK80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFETIXFX80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 89A 3Pin(3+Tab) TO-264 MAX

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 80.0 A 80.0 A 89.0 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 65.0 mΩ 65.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 1040 W 1040W (Tc) 893 W

输入电容 1.28 nF 1.28 nF 10.6 nF

栅电荷 197 nC 197 nC 200 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 89.0 A

输入电容(Ciss) 12700pF @25V(Vds) 12700 pF 10550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1040 W -

耗散功率(Max) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 893000 mW

上升时间 27 ns - 22 ns

下降时间 16 ns - 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

宽度 5.13 mm 5.21 mm -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264

长度 19.96 mm - -

高度 26.16 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free