APT50M50L2LLG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT50M50L2LLG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 89.0 A
耗散功率 893 W
输入电容 10.6 nF
栅电荷 200 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 89.0 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 10550pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 893000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264
外形尺寸
封装 TO-264
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT50M50L2LLG引脚图与封装图
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在线购买APT50M50L2LLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT50M50L2LLG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3Pin3+Tab TO-264 MAX | 搜索库存 |
替代型号APT50M50L2LLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT50M50L2LLG 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-264 500V 89A 10.6nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 89A 3Pin3+Tab TO-264 MAX | 当前型号 |
| 型号： APT50M50L2FLLG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 N-CH 500V 89A 10.6nF | 完全替代 | TO-264 N-CH 500V 89A | APT50M50L2LLG和APT50M50L2FLLG的区别 |
| 型号： APT50M50L2LL 品牌： 美高森美 封装： | 类似代替 | 功率MOS 7 R MOSFET POWER MOS 7 R MOSFET | APT50M50L2LLG和APT50M50L2LL的区别 |
| 型号： IXFK80N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 N-Channel 500V 80A 65mΩ 1.28nF | 功能相似 | IXFK80N50P 系列 500 V 65 mOhm N 沟道 增强模式 功率 MOSFET | APT50M50L2LLG和IXFK80N50P的区别 |