IRF820APBF、IRF830APBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF820APBF IRF830APBF

描述 VISHAY  IRF820APBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4.5 VVISHAY  IRF830APBF.  场效应管, MOSFET, N沟道

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220 TO-220

针脚数 3 3

漏源极电阻 3 Ω 1.4 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 74 W

阈值电压 4.5 V 4.5 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 5.00 A

上升时间 12 ns 21.0 ns

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)

下降时间 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50 W 74 W

额定电压(DC) - 500 V

额定电流 - 5.00 A

输入电容 - 620pF @25V

栅电荷 - 24.0 nC

漏源击穿电压 - 500 V

长度 10.41 mm 10.41 mm

宽度 4.7 mm 4.7 mm

高度 9.01 mm 9.01 mm

封装 TO-220 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC