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IRF830APBF

IRF830APBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRF830APBF.  场效应管, MOSFET, N沟道

The is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS, uninterruptable power supply and high speed power switching.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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150°C Operating temperature
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Easy to parallel
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Simple drive requirement
IRF830APBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 5.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 1.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 620pF @25V

栅电荷 24.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 21.0 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 74 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.01 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRF830APBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF830APBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRF830APBF.  场效应管, MOSFET, N沟道 搜索库存
替代型号IRF830APBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF830APBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-220 N-Channel 500V 5A 620pF

当前型号

VISHAY  IRF830APBF.  场效应管, MOSFET, N沟道

当前型号

型号: IRF820APBF

品牌: 威世

封装: TO-220AB N-Channel 500V 2.5A

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