SI7949DP-T1-E3、SI7949DP-T1-GE3对比区别

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型号 SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-GE3

描述 VISHAY  SI7949DP-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 VVISHAY  SI7949DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -60V, 5A

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC SOIC

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.051 Ω 80 mΩ

极性 P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 1.5 W 1.5 W

漏源极电压(Vds) -60.0 V -60.0 V

连续漏极电流(Ids) -5.00 A -5.00 A

上升时间 9 ns 9 ns

下降时间 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 5.2 W 1500 mW

长度 6.25 mm -

宽度 5.26 mm -

高度 1.12 mm 1.04 mm

封装 SOIC SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -