锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7949DP-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V

The is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

.
TrenchFET® power MOSFET
.
New low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile

欧时:
### P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SI7949DP-T1-E3.  晶体管, 双P沟道


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
双 P 沟道 60 V 0.064 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8


Newark:
# VISHAY  SI7949DP-T1-E3  Dual MOSFET, Dual P Channel, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -4.5 V, -3 V


SI7949DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.051 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -5.00 A

上升时间 9 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.26 mm

高度 1.12 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI7949DP-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7949DP-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI7949DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7949DP-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V 搜索库存
替代型号SI7949DP-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI7949DP-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: PowerPAK P-Channel 60V 5A

当前型号

VISHAY  SI7949DP-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V

当前型号

型号: SI7949DP-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOIC Dual P-Channel 60V 5A

类似代替

VISHAY  SI7949DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -60V, 5A

SI7949DP-T1-E3和SI7949DP-T1-GE3的区别