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W631GG8MB12I TR、W631GG8KB12I TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W631GG8MB12I TR W631GG8KB12I TR

描述 IC SDRAM 1G 800MHz IND 78BGA1G DDR3 SDRAM X8 800MHz IND

数据手册 --

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 - 78

封装 VFBGA-78 TFBGA-78

位数 - 8

存取时间(Max) - 0.225 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 - 1.425V ~ 1.575V

封装 VFBGA-78 TFBGA-78

工作温度 - -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Not For New Designs Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅