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IPP60R600P6、IPP60R600P6XKSA1、IPP60R600CPXKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP60R600P6 IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600CPXKSA1

描述 TO-220 N-CH 650V 7.3A晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 VTO-220 N-CH 600V 6.1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.3A 6.1A

上升时间 7 ns 7 ns -

下降时间 14 ns 14 ns -

耗散功率 - 63 W 60W (Tc)

输入电容(Ciss) - 557pF @100V(Vds) 550pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) - 63W (Tc) 60W (Tc)

额定功率 - 63 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.54 Ω -

阈值电压 - 4 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 15.65 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -