JANTX2N1613、JANTXV2N1613、2N1613对比区别

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型号 JANTX2N1613 JANTXV2N1613 2N1613

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-205 TO-39 TO-39

极性 NPN NPN -

耗散功率 0.8 W - 0.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - -

额定功率(Max) 800 mW - -

工作温度(Max) 200 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW

封装 TO-205 TO-39 TO-39

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 - -