FDS6990AS、ZXMN2A04DN8TA、NTGS4111PT1G对比区别

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型号 FDS6990AS ZXMN2A04DN8TA NTGS4111PT1G

描述 PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ZXMN2A04 系列 双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8ON SEMICONDUCTOR  NTGS4111PT1G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 6

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOT-23-6

漏源极电阻 22 mΩ 35.0 mΩ 60 mΩ

耗散功率 2 W 2.1 W 1.25 W

阈值电压 1.7 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

输入电容(Ciss) 550pF @15V(Vds) 1880pF @10V(Vds) 750pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 1.8 W 630 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1600 mW 2100 mW 630mW (Ta)

额定电压(DC) - 20.0 V -30.0 V

额定电流 - 6.00 A -4.70 A

极性 - N-Channel P-Channel

漏源击穿电压 - 20.0 V 30 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 7.70 A 4.70 A

上升时间 - 14.8 ns -

下降时间 - 30.6 ns 22 ns

通道数 - - 1

针脚数 - - 6

长度 5 mm 5 mm 3.1 mm

宽度 4 mm 4 mm 1.5 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99