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ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

ZXMN2A04 系列 双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO


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2个N沟道 20V 5.9A


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MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC


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MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC


ZXMN2A04DN8TA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 6.00 A

漏源极电阻 35.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 7.70 A

上升时间 14.8 ns

输入电容Ciss 1880pF @10VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 30.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZXMN2A04DN8TA引脚图与封装图
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在线购买ZXMN2A04DN8TA
型号 制造商 描述 购买
ZXMN2A04DN8TA Diodes 美台 ZXMN2A04 系列 双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8 搜索库存
替代型号ZXMN2A04DN8TA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZXMN2A04DN8TA

品牌： Diodes 美台

封装： SOIC-8 N-Channel 20V 7.7A 35mΩ

当前型号

ZXMN2A04 系列 双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8

当前型号

型号： ZXMN2A04DN8TC

品牌： 美台

封装：

类似代替

DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

ZXMN2A04DN8TA和ZXMN2A04DN8TC的区别

型号： FDS6990AS

品牌： 安森美

封装： SOIC-8

功能相似

PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

ZXMN2A04DN8TA和FDS6990AS的区别

型号： IRF7103IPBF

品牌： 国际整流器

封装：

功能相似

Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8Pin SOIC T/R

ZXMN2A04DN8TA和IRF7103IPBF的区别