BSP317PH6327XTSA1、BSP92P L6327、BSP317P L6327对比区别

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型号 BSP317PH6327XTSA1 BSP92P L6327 BSP317P L6327

描述 INFINEON  BSP317PH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 VINFINEON  BSP92P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -260 mA, -250 V, 7.5 ohm, -10 V, -1.5 VINFINEON  BSP317P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223-4 SOT-223 SOT-223-4

额定电压(DC) - -250 V -250 V

额定电流 - -260 mA -430 mA

通道数 - - 1

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 3 Ω 7.5 Ω 3 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.8 W 1.8 W 1.8 W

输入电容 - 45.0 pF 262 pF

栅电荷 - 1.50 nC 15.1 nC

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 - - 250 V

连续漏极电流(Ids) 0.43A 230 mA 370 mA

上升时间 11.1 ns 6 ns 11.1 ns

输入电容(Ciss) 262pF @25V(Vds) 104pF @25V(Vds) 262pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.8 W 1.8 W 1.8 W

下降时间 67 ns 33 ns 11.1 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 1800 mW 1800 mW

额定功率 1.8 W - -

阈值电压 1.5 V - -

长度 6.5 mm - 6.5 mm

宽度 3.5 mm - 3.5 mm

高度 1.6 mm - 1.6 mm

封装 SOT-223-4 SOT-223 SOT-223-4

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -