FDB8896、STB80NF03L-04T4、STP22NF03L对比区别
型号 FDB8896 STB80NF03L-04T4 STP22NF03L
描述 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS STP22NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 93.0 A 80.0 A 22.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 4.9 mΩ 4.00 mΩ 50 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 300 W 45 W
阈值电压 2.5 V - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 93.0 A 80.0 A 22.0 A
上升时间 102 ns 270 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 2525pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 80 W 300 W 45 W
下降时间 44 ns 95 ns 5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 300W (Tc) 45W (Tc)
输入电容 2.62 nF 5500 pF -
栅电荷 48.0 nC - -
通道数 - 1 -
长度 3 mm - 10.4 mm
宽度 1.7 mm 9.35 mm 4.6 mm
高度 4.83 mm - 9.15 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -