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DS1250W-150、DS1250W-150+、DS1250W-100+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250W-150 DS1250W-150+ DS1250W-100+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 150NS 32DIP3.3V 4096K Nonvolatile SRAMIC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 150 GHz 150 GHz -

存取时间 150 ns 150 ns 100 ns

内存容量 4000000 B 4000000 B -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

长度 43.69 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 9.4 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅