FDG6317NZ、SI1902DL-T1-E3对比区别
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6317NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 VVISHAY SI1902DL-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.32 ohm, 4.5 V, 1.5 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SC-70-6 SC-70
针脚数 6 6
漏源极电阻 0.3 Ω 0.32 Ω
极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 300 mW 200 mW
阈值电压 1.2 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 700 mA 660 mA
上升时间 7 ns 16 ns
热阻 - 400℃/W (RθJA)
下降时间 2.5 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.3 W 270 mW
额定电压(DC) 20.0 V -
额定电流 700 mA -
输入电容 66.5 pF -
栅电荷 760 pC -
输入电容(Ciss) 66.5pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 300 mW -
长度 2 mm 2.2 mm
高度 1 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70
宽度 1.25 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active -
最小包装 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 -