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FDG6317NZ
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6317NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 V

The is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS ON and gate charge QG in a small package.

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Low gate charge
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Gate-source Zener for ESD ruggedness 1.6kV human body model
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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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Compact industry standard surface-mount package
FDG6317NZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 700 mA

针脚数 6

漏源极电阻 0.3 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 300 mW

阈值电压 1.2 V

输入电容 66.5 pF

栅电荷 760 pC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 700 mA

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 66.5pF @10VVds

额定功率Max 300 mW

下降时间 2.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDG6317NZ引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDG6317NZ Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6317NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 V 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDG6317NZ

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SC-70 Dual N-Channel 20V 700mA 40mohms 66.5pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6317NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 V

当前型号

型号: PMGD280UN,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-363 Dual N-Channel 20V 870mA

功能相似

NXP  PMGD280UN,115  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV

FDG6317NZ和PMGD280UN,115的区别

型号: SI1902DL-T1-E3

品牌: 威世

封装: SOT-363 N-Channel 20V 660mA 385mΩ

功能相似

VISHAY  SI1902DL-T1-E3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.32 ohm, 4.5 V, 1.5 V

FDG6317NZ和SI1902DL-T1-E3的区别