IRLML6402TRPBF、NTR4101PT1G、SI2301BDS-T1-E3对比区别

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型号 IRLML6402TRPBF NTR4101PT1G SI2301BDS-T1-E3

描述 INFINEON  IRLML6402TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -3.7A, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  NTR4101PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mVVISHAY  SI2301BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 100 mohm, -4.5 V, -950 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -3.70 A -3.20 A -

额定功率 1.3 W 0.21 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.065 Ω 0.07 Ω 100 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.3 W 730 mW 900 mW

阈值电压 550 mV 720 mV -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -20.0 V

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) -3.70 A 3.20 A, -3.20 A -2.20 A

上升时间 48 ns 12.6 ns -

输入电容(Ciss) 633pF @10V(Vds) 675pF @10V(Vds) 375pF @6V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 420 mW -

下降时间 381 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 420mW (Ta) 0.7 W

产品系列 IRLML6402 - -

热阻 100℃/W (RθJC) - -

长度 3.04 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1.02 mm 0.94 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -