BD136、BD136G对比区别

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型号 BD136 BD136G

描述 PNP 晶体管，STMicroelectronics ### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。ON SEMICONDUCTOR  BD136G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz -

针脚数 3 3

极性 P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 1.25 W 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 25 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 40 25

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW

额定电压(DC) - -45.0 V

额定电流 - -1.50 A

热阻 - 10℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 1.5A

长度 7.8 mm 7.8 mm

宽度 2.7 mm 2.66 mm

高度 10.8 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99