IRG4RC10KTRPBF、SGR6N60UFTM、SGD04N60对比区别

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型号 IRG4RC10KTRPBF SGR6N60UFTM SGD04N60

描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 - Surface Mount -

封装 - TO-252-3 TO-252

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 3.00 A -

耗散功率 - 30.0 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -

额定功率(Max) - 30 W -

封装 - TO-252-3 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -