SGR6N60UFTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SGR6N60UFTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 3.00 A
耗散功率 30.0 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 30 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SGR6N60UFTM引脚图与封装图
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在线购买SGR6N60UFTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SGR6N60UFTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号SGR6N60UFTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SGR6N60UFTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 600V 3A 30W | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： HGTD3N60C3S9A 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 600V 6A 33000mW | 类似代替 | 6A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT的 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs | SGR6N60UFTM和HGTD3N60C3S9A的区别 |
| 型号： SGD04N60 品牌： 英飞凌 封装： DPak | 功能相似 | 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology | SGR6N60UFTM和SGD04N60的区别 |
| 型号： IRG4RC10KTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A IC, 600V VBRCES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 | SGR6N60UFTM和IRG4RC10KTRPBF的区别 |