IPD50R950CE、IPD50R950CEATMA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPD50R950CE IPD50R950CEATMA1

描述 500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFETDPAK N-CH 500V 4.3A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 34 W

极性 N-CH N-CH

耗散功率 34 W 53W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 4.3A 4.3A

上升时间 4.9 ns 4.9 ns

输入电容(Ciss) 231pF @100V(Vds) 231pF @100V(Vds)

下降时间 19.5 ns 19.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 34W (Tc) 53W (Tc)

额定功率(Max) 34 W -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.41 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -